Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 94 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
825-9364
Herst. Teile-Nr.:
IPD036N04LGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

59 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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