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    Infineon OptiMOS™ 3 IPD036N04LGBTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 94 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    25 - 450,794 €3,97 €
    50 - 950,762 €3,81 €
    100 +0,636 €3,18 €

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    825-9364
    Herst. Teile-Nr.:
    IPD036N04LGBTMA1
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.90 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.4,9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.94 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite6.22mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs59 nC @ 10 V
    Länge6.73mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe2.41mm

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