Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 826-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S2L23ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,034 € | 25,85 € |
| 125 - 225 | 0,951 € | 23,78 € |
| 250 - 600 | 0,894 € | 22,35 € |
| 625 - 1225 | 0,823 € | 20,58 € |
| 1250 + | 0,758 € | 18,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S2L23ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie OptiMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33 nC @ 10 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 6.22mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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