Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

977,50 €

(ohne MwSt.)

1.162,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 25000,391 €977,50 €
5000 - 100000,381 €952,50 €
12500 +0,371 €927,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-4622
Herst. Teile-Nr.:
IPD75N04S406ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

58 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24,5 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Verwandte Links