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    Infineon OptiMOS™ -T2 IPB80N04S404ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    826-9480
    Herst. Teile-Nr.:
    IPB80N04S404ATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.80 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    SerieOptiMOS™ -T2
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.4,6 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.71 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite9.25mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs33 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe4.4mm

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