Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Stock No.:
826-9480
Mfr. Part No.:
IPB80N04S404ATMA1
Brand:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

71 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Not Applicable

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2


Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™.

OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.

N-Kanal – Anreicherungstyp
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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