Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-4521
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N06S2L09ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

OptiMOS™

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

82 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

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