Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 94 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-4509
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N04S403ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS T2

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

51 nC @ 10 V

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2


Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™.

OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.

N-Kanal – Anreicherungstyp
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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