Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 222-4667
Herst. Teile-Nr.:: IPD60N10S4L12ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.067,50 €

(ohne MwSt.)

1.270,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 16. Dezember 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	0,427 €	1.067,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 222-4667
Herst. Teile-Nr.:: IPD60N10S4L12ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	94W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	38nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Höhe	2.3mm
	Länge	6.5mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 94W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Höhe 2.3mm
	Länge 6.5mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD60N10S4L12ATMA1

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD60N10S4L12ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter, der für anspruchsvolle elektronische Leistungsstufen und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, die eine robuste Schaltleistung und thermische Handhabung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• 12 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste in Leistungspfaden reduziert werden
• 94 W Verlustleistung verbessert die thermische Belastbarkeit unter Last
• 38 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung von 16 V ermöglicht flexible Gate-Spannungsauswahl

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromwandler, die die AEC-Q101-Konformität erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandler in Transport- und Industrieanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in EV-Teilsystemen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Wird mit kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen auf thermischen Leiterplatten verwendet

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?

Er wird in einem oberflächenmontierten TO‐252-Gehäuse geliefert, das die Wärmeableitung auf der Platine und die Standard-Reflow-Befestigung erleichtert.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten beachtet werden, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 16 V, und Gate-Drive-Schaltkreise sollten diese Spannung nicht überschreiten, um Gate-Schäden zu vermeiden.

Welchen Kanal-Leitungsmodus und -Typ verwendet er?

Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration mit Enhancement-Modus, die für Low-Side- und High-Side-Schaltungen geeignet ist, wenn der Gate-Antrieb geeignet ist.