Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

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222-4666
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N06S4L08ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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