- RS Best.-Nr.:
- 495-568
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4321PBF
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück
2,81 €
(ohne MwSt.)
3,34 €
(inkl. MwSt.)
Voraussichtlich ab 16.09.2024 verfügbar.
Stück | Pro Stück |
---|---|
1 - 9 | 2,81 € |
10 - 24 | 2,67 € |
25 - 49 | 2,55 € |
50 - 99 | 2,45 € |
100 + | 2,25 € |
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Alternative
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- 495-568
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4321PBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
Der Infineon IRFB4321 ist die strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Durchkontaktiertes Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 85 A |
Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 15 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 350 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 4.82mm |
Länge | 10.66mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 9.02mm |
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