Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 688-6932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4115PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

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(ohne MwSt.)

3,96 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	3,33 €	6,66 €
20 - 48	2,93 €	5,86 €
50 - 98	2,76 €	5,52 €
100 - 198	2,565 €	5,13 €
200 +	2,365 €	4,73 €

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RS Best.-Nr.:: 688-6932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4115PBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	104 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	11 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	380 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	77 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Breite	4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.02mm