Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
124-9005
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4115PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

77nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.02mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 104 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4115PBF


Dieser MOSFET ist ein leistungsstarkes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Kühlung und Montage geliefert. Das Gerät bietet eine hohe kontinuierliche Ableitstromfähigkeit und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine effiziente Handhabung von Hochströmen und eine schnelle Schaltleistung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Ableiterspannung von 150 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 104 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger RDS(on) von 11 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hohem Strom
• Die Verlustleistung von 380 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 77 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1,3 V reduziert den Leitungsspannungsabfall der Diode

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220 Motortreiber
• Ideal für 150 V 104 A MOSFETs für Schaltnetzteile
• Wird mit leistungsstarken N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET-Schaltungen verwendet
• Kann für TO-220-Durchsteck-MOSFET-Leistungsstufen mit 380 W verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?


Die Gate-to-Source-Bewertung beträgt ±20 V, sodass die Antriebsschaltkreise den VGS-Wert innerhalb dieses Bereichs halten müssen, um Gate-Schäden zu vermeiden.

Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und gewährleistet, dass die elektrischen Eigenschaften unter diesen Umgebungs- und Anschlussbedingungen erhalten bleiben.

Welche Befestigungs- und Pinanzahl-Bedenken gelten?


Die Komponente verfügt über drei Stifte und ist für die Durchsteckmontage im TO-220-Format vorgesehen, um eine sichere Befestigung des Kühlkörpers zu ermöglichen.

Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?


Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet und zum Einschalten einen positiven Gate in Bezug auf die Quelle benötigt.

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