Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-5822
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3004TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,21 €
(ohne MwSt.)
8,58 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,605 € | 7,21 € |
| 20 - 48 | 3,17 € | 6,34 € |
| 50 - 98 | 2,95 € | 5,90 € |
| 100 - 198 | 2,77 € | 5,54 € |
| 200 + | 2,56 € | 5,12 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5822
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3004TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 340A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 340A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt Fähigkeit
Bleifrei
Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 340 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET / 185 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 60 V / 195 A TO-220