Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 340 A 380 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-8954
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFS3004TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

340A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Kfz-zugelassen

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