Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 380 W, 8-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRLS3036TRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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