Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 130-1026
Herst. Teile-Nr.:: IRLS3036TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

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RS Best.-Nr.:: 130-1026
Herst. Teile-Nr.:: IRLS3036TRL7PP
Marke:: Infineon

IRLS3036-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	2,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	380 W
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	110 nC @ 4,5 V
Höhe	9.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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