Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 168-6011
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

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RS Best.-Nr.:: 168-6011
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRL7PP
Marke:: Infineon

IRFS4010-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	190 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	380 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	150 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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