Infineon HEXFET IRFS4010TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 130-0998
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4010TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	4,49 €	8,98 €
20 - 48	4,045 €	8,09 €
50 - 98	3,77 €	7,54 €
100 - 198	3,505 €	7,01 €
200 +	1,80 €	3,60 €

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RS Best.-Nr.:: 130-0998
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRL7PP
Marke:: Infineon

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	190 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK-7
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	380 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	150 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Breite	9.65mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C