- RS Best.-Nr.:
- 784-9243
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLS3036-7P
- Marke:
- Infineon
1 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück
7,56 €
(ohne MwSt.)
9,00 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
---|---|
1 - 4 | 7,56 € |
5 - 9 | 7,17 € |
10 - 24 | 6,46 € |
25 - 49 | 5,82 € |
50 + | 5,53 € |
- RS Best.-Nr.:
- 784-9243
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLS3036-7P
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MX
Produktdetails
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon
Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 240 A, 300 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | D2PAK-7 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 380 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V |
Breite | 9.65mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.67mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Höhe | 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET AUIRFS3107-7P N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 240 A,...
- Infineon HEXFET IRLS3036TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A...
- Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A...
- Infineon HEXFET IRFS3004TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 400 A...
- Infineon HEXFET IRFS4115TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A...
- Infineon HEXFET IRLS3034TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 380 A...
- Infineon HEXFET IRFS4010TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A...
- Infineon HEXFET IRFS4321TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 86 A...