Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin IRLB3036PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9025
Herst. Teile-Nr.:: IRLB3036PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin IRLB3036PBF TO-220

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RS Best.-Nr.:: 124-9025
Herst. Teile-Nr.:: IRLB3036PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	270A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	91nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	380W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.02mm
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 380W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.02mm
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

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