Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

3,04 €

(ohne MwSt.)

3,62 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 938 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 93,04 €
10 - 242,80 €
25 - 492,62 €
50 - 992,42 €
100 +2,26 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5862
Distrelec-Artikelnummer:
302-84-032
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3006PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die einfachen N-Kanal-IR-MOSFETs von Infineon unterstützen verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Hochstromträgergehäuse

Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

Verwandte Links