Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-5861
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3006PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die einfachen N-Kanal-IR-MOSFETs von Infineon unterstützen verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

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