Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 2000 Stück)*

1.278,00 €

(ohne MwSt.)

1.520,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
2000 +0,639 €1.278,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
262-6751
Herst. Teile-Nr.:
IRFI1310NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er verfügt über einen Abstand von 4,8 mm zwischen Sink und Leiter. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Vollständig lawinenbeständig

Hochspannungsisolierung 2,5 kV eff

Verwandte Links