Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 26 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
262-6756
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4227PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde speziell für die nachhaltige Energierückgewinnung und Pass-Schalteranwendungen in Plasma-Anzeigetafeln entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich und eine niedrige EPULSE-Nennleistung zu erreichen.

150 Grad Celsius Betriebsabzweigtemperatur

Hohe sich wiederholende Spitzenstromleistung

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