Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 46 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9346
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4229PBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFB4229PBF
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 46 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4229PBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit Durchgangsbohrung, der für das Schalten und Verstärken in Hochspannungsschaltkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die robuste Gate-Drive-Eigenschaften und moderaten Einschaltwiderstand in einem TO-220-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 46 A Dauerstrom ermöglichen eine hohe Schaltleistung
• 46 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 250 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsbetrieb
• 72 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 10 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Pegel
• 46 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 250 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsbetrieb
• 72 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 10 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Pegel
Anwendungsbereich
• Wird für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen verwendet
• Geeignet für diskrete Schaltelementen für Motorantriebe
• Ideal für universelle Stromversorgungsplatinen mit Durchgangsbohrung
• Kann für industrielle Steuerungs- und Schaltmodule verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagement in Systemen mit erhöhter Temperatur
• Geeignet für diskrete Schaltelementen für Motorantriebe
• Ideal für universelle Stromversorgungsplatinen mit Durchgangsbohrung
• Kann für industrielle Steuerungs- und Schaltmodule verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagement in Systemen mit erhöhter Temperatur
Welcher Gehäusetyp wird für eine bequeme Montage geliefert?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung zur einfachen Befestigung der Leiterplatte und zur Wärmeableitung angeboten.
Welchen Temperaturbereich hält das Gerät im Betrieb aus?
Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 10 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Ist dieses Gerät für den Einsatz im Automobilstandard geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es für die Automobilindustrie geeignet ist.
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