Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W IRFH5406TRPBF PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9375
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,60 €
(ohne MwSt.)
10,25 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 2.035 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,72 € | 8,60 € |
| 50 - 120 | 1,648 € | 8,24 € |
| 125 - 245 | 1,604 € | 8,02 € |
| 250 - 495 | 1,562 € | 7,81 € |
| 500 + | 1,524 € | 7,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9375
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.4mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.4mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin IRFH5053TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W IRFH7545TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A IRLHM630TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN