Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9375
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
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