Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

4.092,00 €

(ohne MwSt.)

4.868,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +1,023 €4.092,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5566
Herst. Teile-Nr.:
IRLH5030TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

88A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links