Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 17 A 250 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9370
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5007TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Serie

HEXFET

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

75 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

250 W

Gehäusegröße

PQFN

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.3 V

Länge

6 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.9 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

RoHS

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

65 nC

Breite

5 mm

The Infineon IRFH series is the 75V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard surface mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

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