Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 40 A 37 W IRLHM620TRPBF PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHM620TRPBF
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,18 € | 5,90 € |
| 125 - 245 | 1,104 € | 5,52 € |
| 250 - 495 | 0,852 € | 4,26 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 257-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHM620TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Oberflächenmontiertes Gehäuse nach Industriestandard
Potenzielle Alternative zum High-RDS(on)-SuperSO8-Gehäuse
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