Infineon HEXFET IRLHM620TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 40 A PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5802
Herst. Teile-Nr.:: IRLHM620TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLHM620TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 40 A PQFN

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

0,788 €

(ohne MwSt.)

0,938 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	0,788 €	3,94 €
50 - 120	0,71 €	3,55 €
125 - 245	0,664 €	3,32 €
250 - 495	0,512 €	2,56 €
500 +	0,366 €	1,83 €

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RS Best.-Nr.:: 257-5802
Herst. Teile-Nr.:: IRLHM620TRPBF
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Datasheet - IRLHM620TRPBF

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Produktdetails

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Oberflächenmontiertes Gehäuse nach Industriestandard
Potenzielle Alternative zum High-RDS(on)-SuperSO8-Gehäuse

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	PQFN
Montage-Typ	SMD

Infineon HEXFET IRLHM620TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 40 A PQFN

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