Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

2.156,00 €

(ohne MwSt.)

2.564,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +0,539 €2.156,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9383
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7446TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

117A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6 mm

Länge

5mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links