Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9388
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM830TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM830TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFHM-Serie von Infineon ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 3,3 x 3,3-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Potenzielle Alternative zum Super SO 8-Gehäuse mit hohem RDS (Ein)
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