Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation
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