Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-5535
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS8242TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2mm

Breite

2 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

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