Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.1 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
220-7487
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS8342TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1 mm

Normen/Zulassungen

Industrial Qualification, MSL1, RoHS

Höhe

2.1mm

Länge

2.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRFHS8342 ist eine starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

Kleine Umrisse

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Hohe Leistungsdichte

Kompakter Formfaktor für platzkritische Anwendungen

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