Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 100 A 3.6 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
220-7482
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5300TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Breite

4.75 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRFH5300 ist eine leistungsstarke Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung

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