Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
220-7485
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7932TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

3.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1 mm

Länge

6.1mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Niedrige Gateladung

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und

Stromstärke

100 % geprüft für RG

Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)

RoHS-konform (halogenfrei)

Niedriger Wärmewiderstand

Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten

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