Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5572
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse
Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse
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