Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

864,00 €

(ohne MwSt.)

1.028,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 - 40000,216 €864,00 €
8000 +0,205 €820,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5572
Herst. Teile-Nr.:
IRLHS6276TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

9.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

2 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

Verwandte Links