Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020

Dieser oberflächenmontierbare MOSFET eignet sich für Anwendungen, die einen hohen Schaltwirkungsgrad erfordern. Sein niedriger On-Widerstand, gepaart mit der HEXFET-Technologie, trägt zu einem minimalen Leistungsverlust bei, wodurch er sich für Power-Management-Aufgaben in verschiedenen elektronischen Schaltungen eignet. Mit einem maximalen Temperaturbereich von -55°C bis +150°C arbeitet es auch unter schwierigen Bedingungen effektiv.

• Niedriger Rds(on) gewährleistet hohe Effizienz und geringe Wärmeentwicklung
• Geeignet für einen kontinuierlichen Drainstrom von 7,2 A für eine robuste Leistung
• Kompaktes 6-Pin-DFN-Gehäuse ermöglicht einfache Integration bei begrenztem Platzangebot
• Der Enhancement-Modus ermöglicht vielseitige Gestaltungsmöglichkeiten
• Hervorragende Wärmebeständigkeit für verbesserte Langlebigkeit

• Wird für die System-/Lastumschaltung in Automatisierungssystemen verwendet
• Ideal für Lade- und Entladeschaltungen im Batteriemanagement
• Geeignet für kompakte elektronische Geräte mit hohem Wirkungsgrad
• Einsatz in elektrischen Steuersystemen und Stromversorgungskreisen

Die niedrige Rds(on)-Eigenschaft führt zu geringeren Leitungsverlusten, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert wird und die Temperaturen während des Betriebs niedriger bleiben, was für Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist.

Er hat eine Höchsttemperatur von +150°C und einen geringen Wärmewiderstand, um die Wärmeableitung zu verbessern und einen stabilen Betrieb unter hoher Last zu gewährleisten.

Ja, es funktioniert effektiv über einen Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und eignet sich damit für anspruchsvolle Anwendungen in unterschiedlichen Klimazonen.

Das Design des MOSFETs unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen, was ihn für Hochfrequenzanwendungen in der modernen Elektronik geeignet macht.

Um beste Ergebnisse zu erzielen, sollte es auf einer Leiterplatte mit angemessenem Wärmemanagement montiert werden, um die Wärmeableitung und die elektrischen Verbindungen zu optimieren.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.