Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6 A 2.1 W, 7-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
IRFHS9301TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.1 mm

Höhe

0.95mm

Länge

2.1mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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