Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 30 A 96 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
222-4746
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8311TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.17mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDSon (<1,15 mΩ)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)

100 % Rg geprüft

Flache Bauweise (<0,9 mm)

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