Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN

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130-0977
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5210TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Breite

6 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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