Infineon HEXFET IRFH5210TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 130-0977
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5210TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH5210TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 130-0977
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5210TRPBF
Marke:: Infineon

IRFH5210PbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	14,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	104 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Breite	6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.9mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRFH5210TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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