Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 30 A 96 W, 4-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

12,015 €

(ohne MwSt.)

14,295 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1.425 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 600,801 €12,02 €
75 - 1350,761 €11,42 €
150 - 3600,745 €11,18 €
375 - 7350,697 €10,46 €
750 +0,649 €9,74 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4747
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8311TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.15 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Höhe

1.17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDSon (<1,15 mΩ)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)

100 % Rg geprüft

Flache Bauweise (<0,9 mm)

Verwandte Links