Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

RS Best.-Nr.:: 220-7480
Herst. Teile-Nr.:: IRFH3707TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

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Herst. Teile-Nr.:: IRFH3707TRPBF
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Datasheet - IRFH3707TRPBF

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Produktdetails

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Mögliche Alternative zum SuperSO8-Gehäuse mit hohem RDS(on)
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Kleiner Formfaktor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PQFN 3 x 3
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0124 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	20V
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

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