Infineon HEXFET IRFR1010ZTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7490
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR1010ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
2940 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,158 €
(ohne MwSt.)
1,378 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 90 | 1,158 € | 11,58 € |
100 - 240 | 1,10 € | 11,00 € |
250 - 490 | 1,053 € | 10,53 € |
500 - 990 | 1,007 € | 10,07 € |
1000 + | 0,937 € | 9,37 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 220-7490
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR1010ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellengelötet werden
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellengelötet werden
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 42 A |
Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0075 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 20V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRFR1010ZTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor...
- Infineon HEXFET AUIRFR48ZTRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor &...
- Infineon HEXFET IRFR3709ZTRLPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET...
- Infineon HEXFET IRFR24N15DTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET...
- Infineon HEXFET IRFR3504ZTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor...
- Infineon HEXFET AUIRF2804STRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor...
- Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor...
- Infineon HEXFET IRF3007STRLPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor...