Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 140 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9128
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4104TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Er wird mit Advanced Process Technology geliefert

Der MOSFET ist bleifrei

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