Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 17 A 140 W IRFR15N20DTRPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3980
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR15N20DTRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,43 €
(ohne MwSt.)
7,65 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 5.540 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,286 € | 6,43 € |
| 50 - 120 | 1,116 € | 5,58 € |
| 125 - 245 | 1,04 € | 5,20 € |
| 250 - 495 | 0,966 € | 4,83 € |
| 500 + | 0,90 € | 4,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3980
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR15N20DTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 165mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 165mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs von Infineon nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Erhöhte Robustheit
Kompatibilität mit mehreren Lieferanten
Qualifikationsstufe nach Industriestandard
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 17 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 17 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 17 A IRFR024NTRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 119 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 119 A 140 W IRFR4104TRPBF TO-252
