Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-1020
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3110ZTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

63 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

16 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

140 W

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 4,5 V

Breite

9.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.83mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


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