Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 65 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-0958
Herst. Teile-Nr.:
IRLR7821PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

65 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 4,5 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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