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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 86 A 75 W TO-252

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 86 A 75 W TO-252
Brand: Infineon
SKU: 257-9465
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	86A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist das 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Logikpegel ist für 5-V-Gate-Antriebsspannung optimiert

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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