Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 12 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-2257
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR024NTRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der AUIRFR024NTRL von Infineon wurde speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Design von HEXFET® Power MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Fortschrittliche Planartechnologie

Dynamische dv/dt-Bewertung mit niedrigem Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur 175 °C

Schnelles Schalten

Vollständige Avalanche-Bewertung

Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt

Bleifrei, RoHS-konform

Automotive-qualifiziert

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