Infineon HEXFET IRF2807ZPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 75 V / 75 A, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 262-6726
Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF2807ZPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 75 V / 75 A, 3-Pin TO-220AB

850 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,392 €

(ohne MwSt.)

1,656 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,392 €	6,96 €
50 - 120	1,058 €	5,29 €
125 - 245	0,988 €	4,94 €
250 - 495	0,918 €	4,59 €
500 +	0,85 €	4,25 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 262-6726
Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZPBF
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Datasheet - IRF2807ZPBF

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Produktdetails

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	75 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Channel-Modus	Enhancement
Transistor-Werkstoff	Silicon
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Infineon HEXFET IRF2807ZPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 75 V / 75 A, 3-Pin TO-220AB

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