Infineon HEXFET IRF2805PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 784-0274
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2805PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,50 € |
| 10 - 24 | 1,43 € |
| 25 - 49 | 1,36 € |
| 50 - 99 | 1,28 € |
| 100 + | 1,19 € |
- RS Best.-Nr.:
- 784-0274
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2805PBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 75 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 330 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.83mm |
| Länge | 10.67mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 16.51mm |
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